به نظر می‌رسد کمپانی IBM توانسته راهی پیدا کند که در آینده شاهد جایگزینی حافظه‌های نوری با رم و حافظه‌ی فلش باشیم. این حافظه که حافظه‌ی تغییر فاز (PCM) نامیده می‌شود در گذشته به دلیل دربرداشتن هزینه‌ی بالا، گزینه‌ی مناسبی برای استفاده در گوشی‌های هوشمند نبود؛ اما به نظر می‌رسد که به‌زودی شاهد تغییراتی در این روند خواهیم بود.

این تکنولوژی در حقیقت از الکتریسیته برای خواندن و نوشتن اطلاعات بر روی شیشه‌های آمورف یا کریستالی استفاده می‌کند. PCM در واقع بیش از 15 سال است که در درایوهای نوری و دیگر تکنولوژی‌ها استفاده می‌شود؛ اما نکته‌ی جالبی که وجود دارد این است که IBM نه تنها راهی برای کاهش هزینه‌ی استفاده از این تکنولوژی در گوشی‌های هوشمند پیدا کرده است بلکه روشی یافته که در هر سلول می‌توان 3 بیت داده یا اطلاعات ذخیره کرد و این موضوع حتی در دمای بالا نیز خللی ایجاد نخواهد کرد.

IBM اعلام کرده که این تکنولوژی سبب می‌شود تا قیمت PCM کاهش یافته و در نتیجه رقیبی برای حافظه‌ی فلش شود و قیمت آن از DRAM نیز مقرون به‌صرفه‌تر باشد. برخلاف رم، PCM زمانی که منبع تغذیه خاموش شود اطلاعاتی را از دست نخواهد داد. جالب است بدانید که با ترکیب PCM و حافظه‌ی فلش می‌توان حافظه‌ی کش فوق العاده سریع تولید کرد و طبق گفته‌ی IBM با قرار دادن اطلاعات سیستم عامل بر روی PCM، دیوایس‌ها در تنها چند ثانیه بارگذاری شده و رابط کاربری برای کاربر نمایان خواهد شد.

PCM متشکل از دو حالت پایدار است، حالت نامنظم یا آمورف که از ساختار منظمی بهره نمی‌برد و حالت منظم یا کریستال که دارای ساختار منظم بوده و دارای رسانایی الکتریکی ضعیف و قوی هستند. برای ذخیره‌ی صفر و یک که به بیت مشهور هستند، بر روی سلول PCM، یک جریان متوسط و یا قوی بر روی مواد اعمال می‌شود. صفر می‌تواند بر روی فاز آمورف نوشته شده و یک نیز بر روی فاز کریستال نوشته شود و یا خلاف این حالت. سپس برای خواندن این اطلاعات، یک جریان ضعیف الکتریکی اعمال می‌شود. این دقیقا حالتی است که دیسک‌های بلو ری که قابلیت دوباره نویسی دارند ویدیوها را ذخیره می‌کنند. – محقق IBM

در حال حاضر نمی‌دانیم که PCM چه آینده‌ای خواهد داشت؛ اما با توجه به دانسته‌های ما، این تکنولوژی می‌تواند آینده‌ی ذخیره‌سازی اطلاعات بر روی گوشی‌ها و هندست‌ها را تغییر دهد و به نحوی سرعت ذخیره و بارگذاری اطلاعات بالاتر رود.